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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK)

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2747696

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIHD9N60E-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32 ohm

Produktpalette: E

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 9 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)

Drain-Source-Spannung Vds: 600 V

Verlustleistung: 78 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V

SVHC: Lead (19-Jan-2021)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, smd transistor, mosfet dpak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHD9N60E-GE3, 2747696, 274-7696

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