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VISHAY SIRA90DP-T1-GE3 MOSFET N-KANAL, 30V, 100A, POWERPAK SO

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2749593

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIRA90DP-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650 µohm

Produktpalette: TrenchFET

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 100 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: PowerPAK SO

Drain-Source-Spannung Vds: 30 V

Verlustleistung: 104 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V

SVHC: Lead (19-Jan-2021)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 100a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIRA90DP-T1-GE3, 2749593, 274-9593

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