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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 840 µohm, TO-263 (D2PAK)

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2777381

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SQM40014EM_GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840 µohm

Produktpalette: TrenchFET

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 7 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 200 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)

Drain-Source-Spannung Vds: 40 V

Verlustleistung: 375 W

Qualifikation: AEC-Q101

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V

SVHC: Lead (19-Jan-2021)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 200a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQM40014EM_GE3, 2777381, 277-7381

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