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ONSEMI FDN359AN MOSFET N-KANAL 30V, 2.7A, 0.5W, SUPERSOT


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2985377
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDN359AN
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037 ohm
  • Produktpalette: PowerTrench
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 2.7 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SuperSOT
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 500 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 V
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet sot-23, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDN359AN, 2985377, 298-5377
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