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VISHAY SIRA58ADP-T1-RE3 MOSFET, N-KANAL, 40V, 109A, 150°C, 56.8W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3019120
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIRA58ADP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET Gen IV
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 109 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SO
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 56.8 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 V
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIRA58ADP-T1-RE3, 3019120, 301-9120
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