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VISHAY SQD50034E_GE3 MOSFET, N-KANAL, 60V, 100A, 175°C, 107W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-3104165
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQD50034E_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 100 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 107 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQD50034E_GE3, 3104165, 310-4165
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