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| Artikel-Nr.:
8737-3129916 Herst.-Nr.:
STB28N65M2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 ohmProduktpalette: MDmesh M2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 20 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 170 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2019) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STB28N65M2, 3129916, 312-9916 |
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