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onsemi NVB190N65S3FOS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 20 A 162 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1952666
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NVB190N65S3F
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 162 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.3V
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
20 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
190 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
162 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±30 V
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Diodendurchschlagsspannung:
1.3V
Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 1952666, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVB190N65S3F, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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