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| Artikel-Nr.: 8737-3132718 Herst.-Nr.: STD110N8F6 EAN/GTIN: k.A. |
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| Drain-Source-Spannung Vds: 80 V Verlustleistung: 167 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2019) Rds(on)-Prüfspannung: 10 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056 ohmProduktpalette: STripFET F6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 80 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 80a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STD110N8F6, 3132718, 313-2718 |
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