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| Artikel-Nr.: 8737-3438370 Herst.-Nr.: IXFA3N120 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5 ohmProduktpalette: HiPerFET Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 3 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kVVerlustleistung: 200 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2023) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys mosfet, smd transistor, mosfet-transistor 3a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFA3N120, 3438370, 343-8370 |
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