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| Artikel-Nr.: 8737-3470685 Herst.-Nr.: SIA466EDJ-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079 ohmProduktpalette: TrenchFET Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 25 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Drain-Source-Spannung Vds: 20 VVerlustleistung: 19.2 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 VSVHC: Lead (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIA466EDJ-T1-GE3, 3470685, 347-0685 |
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