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| Artikel-Nr.: 8737-3573215 Herst.-Nr.: BSM080D12P2C008 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: - Produktpalette: - Anzahl der Pins: - MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 80 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: Module Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kVVerlustleistung: 600 WGate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: Lead (17-Jan-2023) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ROHM, BSM080D12P2C008, 3573215, 357-3215 |
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