| |
|
| Artikel-Nr.: 8737-3772844 Herst.-Nr.: SISS10DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| | |
| Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 VSVHC: Lead (10-Jun-2022) Rds(on)-Prüfspannung: 10 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022 ohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 60 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK 1212 Drain-Source-Spannung Vds: 40 VVerlustleistung: 57 WRoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SISS10DN-T1-GE3, 3772844, 377-2844 |
| | |
| |