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| Artikel-Nr.: 8737N-2459564 Herst.-Nr.: FDC855N EAN/GTIN: k.A. |
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| Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V Verlustleistung: 1.6 WKanaltyp: N Channel MSL: MSL 1 - Unlimited Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0207 ohmBetriebstemperatur, max.: 150 °CAnzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30 VDauer-Drainstrom Id: 6.1 ASVHC: No SVHC (14-Jun-2023) Rds(on)-Prüfspannung: 10 VQualifikation: - Bauform - Transistor: SuperSOT Produktpalette: - RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet sot-23, smd transistor, on semiconductor mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDC855N, 2459564, 245-9564 |
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