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VISHAY SI4425BDY-T1-E3 MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.01OHM, -8.8A,


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737N-2524653
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4425BDY-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Produktpalette: -
  • Dauer-Drainstrom Id: 8.8 A
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Verlustleistung: 1.5 W
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Transistormontage: Surface Mount
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01 ohm
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Qualifikation: -
  • Kanaltyp: P Channel
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400 mV
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI4425BDY-T1-E3, 2524653, 252-4653
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