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VISHAY SIRA00DP-T1-GE3. MOSFET, N-CH, 30V, 100A, 150DEG C, 104W,


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737N-2918678
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIRA00DP-T1-GE3.
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830 µohm
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Produktpalette: -
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Transistormontage: Surface Mount
  • Kanaltyp: N Channel
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 V
  • Dauer-Drainstrom Id: 100 A
  • Verlustleistung: 104 W
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • SVHC: Lead
  • MSL: -
  • Qualifikation: -
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SO
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 100a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIRA00DP-T1-GE3., 2918678, 291-8678
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