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Infineon IPD082N10N3 G Transistor 150 V


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Produktinformationen
Infineon IPD082N10N3 G Transistor 150 V
Infineon IPD082N10N3 G Transistor 150 V
Artikel-Nr.:
     CIDE8-79087083
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD082N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Weitere Informationen:
Merkmale
Spannung
150 V
Leistung
125 W
Widerstand
0.0108 mΩ
Betriebstemperatur
-55 - 175 °C
Zertifizierung
RoHs
Weitere Suchbegriffe: mosfet 80a
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