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STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 168 W, 3-Pin TO N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Tra...
ST Microelectronics
STGWT20H65FB
ab CHF 1.52*
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STMicroelectronics IGBT / 86 A ±20V max. , 650 V 272 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 86 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 272 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Pinanzahl = 3 Die Serie STMicroelectr...
ST Microelectronics
STGB50H65FB2
ab CHF 1.11*
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STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 1200 V 535 W Max247 lange Kabel (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 535 W Gehäusegröße = Max247 lange Kabel
ST Microelectronics
STGYA50H120DF2
ab CHF 6.49*
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STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 230 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 230 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...
ST Microelectronics
STGWA40H65DFB2
ab CHF 3.11*
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STMicroelectronics IGBT ±30V max. , 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 167 W Gehäusegröße = To-247 lange Leitungen Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Serie
ST Microelectronics
STGWA30HP65FB2
ab CHF 1.61*
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STMicroelectronics STDRIVEG600 Development Kit, Demonstration Board IGBT-Gate-Ansteuerung (1 Angebot) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = IGBT-Gate-Ansteuerung Kit-Klassifizierung = Demoboard Vorgestelltes Gerät = STDRIVEG600 Kit-Name = Demonstration Board
ST Microelectronics
EVSTDRIVEG60015
ab CHF 128.49*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max., 650 V 167 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 167 W Gehäusegröße = TO-247 Pinanzahl = 3 Die Serie STMicroelectronics IG...
ST Microelectronics
STGWA30H65DFB2
ab CHF 2.00*
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STMicroelectronics STGAP1BS Development Kit, Demonstration Board IGBT-Gate-Ansteuerung (1 Angebot) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = IGBT-Gate-Ansteuerung Kit-Klassifizierung = Demoboard Vorgestelltes Gerät = STGAP1BS Kit-Name = Demonstration Board
ST Microelectronics
EVALSTGAP1BS
ab CHF 61.46*
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STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 108 W, 4-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 108 W Gehäusegröße = TO-247 Pinanzahl = 4 Die Serie STMicroelectronics IG...
ST Microelectronics
STGWA30IH65DF
ab CHF 3.12*
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Vishay IGBT / 139 A ± 20V max. , 1200 V 658 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 139 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 658 W Konfiguration = Single Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Vishay
VS-GT80DA120U
ab CHF 29.64*
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STMicroelectronics IGBT / 86 A 20V max. , 650 V 272 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 86 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 272 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfi...
ST Microelectronics
STGWA50HP65FB2
ab CHF 1.98*
pro Stück
 
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STMicroelectronics IGBT / 6 A 600V max. 6-fach, 600 V 12,5 W, 26-Pin N2DIP-26L Typ Z (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 6 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 600V Verlustleistung max. = 12,5 W Gehäusegröße = N2DIP-26L Typ Z Pinanzahl = 26 Transistor-Konfigurat...
ST Microelectronics
STGIPQ4C60T-HZ
ab CHF 4.44*
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Vishay IGBT / 169 A ± 20V max. , 1200 V 781 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 169 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N ...
Vishay
VS-GT90DA120U
ab CHF 26.32*
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STMicroelectronics IGBT ±30V max. , 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 167 W Gehäusegröße = To-247 lange Leitungen Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Serie...
ST Microelectronics
STGWA30HP65FB2
ab CHF 2.24*
pro Stück
 
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Vishay IGBT / 169 A ± 20V max. , 1200 V 781 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 169 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 781 W Konfiguration = Single Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Vishay
VS-GT90SA120U
ab CHF 28.54*
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