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  IGBT  (2'008 Angebote unter 6'192'576 Artikeln)

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"IGBT"

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ROHM IGBT / 75 A ±30V max. , 650 V 404 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65HRC11
ab CHF 6.67*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 51 A ±30V max. , 650 V 156 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 51 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 156 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS60TS65DGC13
ab CHF 1'901.784*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 48 A ±30V max. , 600 V 111 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 48 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60GC13
ab CHF 1'794.864*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 88 A ±30V max. , 650 V 245 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65DGC13
ab CHF 4.07*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 51 A ±30V max. , 650 V 156 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 51 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 156 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS60TS65GC13
ab CHF 3.17*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 115 A ±20V max. , 650 V 357 W, 4-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 115 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 357 W Gehäusegröße = TO-247 Pinanzahl = 4 Die Serie STMicroelectronics I...
ST Microelectronics
STGW75H65DFB2-4
ab CHF 6.16*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 65 A ±30V max. , 600 V 148 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 65 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60DGC13
ab CHF 2'239.632*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 254 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65CHRC11
ab CHF 10.48*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 65 A ±30V max. , 600 V 148 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 65 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 148 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60GC13
ab CHF 3.80*
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 Stück
STMicroelectronics IGBT / 145 A ±20V max. , 650 V 441 W, 4-Pin To247-4 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 145 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 441 W Gehäusegröße = To247-4 Channel-Typ = N Pinanzahl = 4 Transistor-Ko...
ST Microelectronics
STGW100H65FB2-4
ab CHF 5.37*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 254 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 254 W Konfiguration = Single Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65HRC11
ab CHF 4.78*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 20 A 600V max., 600 V 0,08 mW, 26-Pin SDIP2B (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 600V Verlustleistung max. = 0,08 mW Gehäusegröße = SDIP2B Pinanzahl = 26 Transistor-Konfiguration = S...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-LZ
ab CHF 14.94*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 71 A ±30V max. , 650 V 202 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 71 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65DGC13
ab CHF 4.17*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 200 A ±20V max. Dual, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 714 W Gehäusegröße = ECOPACK Montage-Typ = SMD Channel-Typ = NPN Pinanza...
ST Microelectronics
STGSB200M65DF2AG
ab CHF 3'083.04*
pro 200 Stück
 
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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 348 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 348 W Konfiguration = Single Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65HRC11
ab CHF 6.40*
pro Stück
 
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