MOSFET  (14'450 Angebote unter 6'190'864 Artikeln)

Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4 Kleinsignal-Transistor Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 600 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal...

Isolationsspannung: 1.5 kV Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1 µA Lastspannung, max.: 200 V Relaisanschlüsse: PC Pin Laststrom: 200 mA Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Durchlasswiderstand, ma...

MOSFET Données techniques : I(d) : 28 A · Puissance (max) P(TOT) : 28 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 5x6 · Type de montage : montag...

Bauform - Optokoppler: SSO Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Produktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Isolationsspannung: 5 kV SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja

MOSFET Données techniques : I(d) : 25 A · Puissance (max) P(TOT) : 25 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 3x3 · Type de montage : montag...

MOSFET Données techniques : I(d) : -20 A · Puissance (max) P(TOT) : 29.7 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 3x3 · Type de montage : mon...

MOSFET Données techniques : I(d) : 25 A · Puissance (max) P(TOT) : 25 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 3x3 · Type de montage : montag...

MOSFET Données techniques : I(d) : 35 A · Puissance (max) P(TOT) : 25 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 3x3 · Type de montage : montag...

MOSFET Données techniques : I(d) : -28 A · Puissance (max) P(TOT) : 4 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 3x3 · Type de montage : montag...

MOSFET Données techniques : I(d) : 35 A · Puissance (max) P(TOT) : 25 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 3x3 · Type de montage : montag...

Infineon Technologies BF999 MOSFET 1 N-Kanal 200 mW TO-236-3 MOSFET-Tetrode MOSFET-Tetrode (8 mm-Gurt) . Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 20 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transis...

MOSFET Données techniques : I(d) : 38 A · Puissance (max) P(TOT) : 31 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 5x6 · Type de montage : montag...

Laststrom: 90 mA Lastspannung, max.: 400 V Produktpalette: CotoMOS Series Lasttyp: AC / DC Durchlasswiderstand, max.: 50 ohm Relaisanschlüsse: PC Pin Relaismontage: Through Hole Bauform MOSFET-Rela...

MOSFET Données techniques : I(d) : -35 A · Puissance (max) P(TOT) : 25 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 3x3 · Type de montage : monta...