MOSFET  (13'630 Angebote unter 5'237'479 Artikeln)

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220 mA Produktpalette: - Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220 ...

Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 460 m...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=IXTK17N120L, Abfallzeit=83 ns, Anstiegzeit=31 ns, Ausschaltverzögerung=110 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=...

Infineon Technologies IRF7403 MOSFET 1 N-Kanal 2.5 W SOIC-8 MOSFET (HEXFET/FETKY) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betri...

Infineon Technologies IRF7459 MOSFET 1 N-Kanal 2.5 W SO-8 MOSFET (HEXFET/FETKY) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 20 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betrieb...

Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.3 ohm Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.3 ohm Verlustleistung, n-Kanal: 1 W Verlustleistung, p-Kana...

Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-220 Power MOSFET, P-Kanal Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betr...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=DIT100N10, Abfallzeit=55 ns, Anstiegzeit=50 ns, Ausschaltverzögerung=40 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=100...

Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal...

Montage Typ = SMD Ausgangsschaltung = IGBT-Gate-Treiber, MOSFET Durchlassspannung max. = 1.95V Anzahl der Kanäle = 1 Anzahl der Pins = 6 Gehäusetyp = SO Regelanstiegszeit = 30ns Eingangsstrom max. ...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12,2 A Drain-Source-Spannung max. = 12 V Gehäusegröße = U-DFN2020 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 12,5 mΩ Channel-Modus = Enha...

Montage Typ = THT Ausgangsschaltung = IGBT-Gate-Treiber, MOSFET Durchlassspannung max. = 1.8V Anzahl der Kanäle = 2 Anzahl der Pins = 8 Gehäusetyp = DIP Eingangsstrom Typ = DC Regelanstiegszeit = 5...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=IRFP4110PBF, Abfallzeit=88 ns, Anstiegzeit=67 ns, Ausschaltverzögerung=78 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=1...