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  Schalttransistor  (9’522 Angebote unter 5’241’504 Artikeln)

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"Schalttransistor"

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Infineon IPB016N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 52 A PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO252-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB016N08NF2SATMA1
ab CHF 2.72*
pro Stück
 
 Stück
onsemi BSP16T1G SMD, PNP Transistor –300 V / -100 mA 30 MHz, TO-223 3 + Tab-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –300 V Gehäusegröße = TO-223 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1,5 W Gleichstromverstärkung min. = 30 Trans...
onsemi
BSP16T1G
ab CHF 0.0814*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Treibermodul CMOS 2 A 5.5V 36-Pin SOIC-36 50ns (1 Angebot) 
Logik-Typ = CMOS Ausgangsstrom = 2 A Versorgungsspannung = 5.5V Pinanzahl = 36 Gehäusegröße = SOIC-36
Infineon
2ED020I12F2XUMA1
ab CHF 4.29*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI CPH3216-TL-E TRANSISTOR, NPN, 50V, 1A, SOT-23 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 420 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 V Bet...
onsemi
CPH3216-TL-E
ab CHF 0.105*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPB019N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 170 A PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 170 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB019N08NF2SATMA1
ab CHF 2.01*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI CPH6003A-TL-E TRANSISTOR, HF, NPN, 12V, 0.15A, SOT-457 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 V Betri...
onsemi
CPH6003A-TL-E
ab CHF 0.665*
pro 5 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Treibermodul CMOS 6 A 15V 8-Pin DSO-8 19ns (1 Angebot) 
Logik-Typ = CMOS Ausgangsstrom = 6 A Versorgungsspannung = 15V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = DSO-8
Infineon
1EDI10I12MFXUMA1
ab CHF 0.75*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI CPH3910-TL-E TRANSISTOR, JFET, N-KANAL, 25V, SOT-23 (1 Angebot) 
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25 V Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8 V Kanaltyp: n-Kanal Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor...
onsemi
CPH3910-TL-E
ab CHF 0.935*
pro 5 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 900 A ±20V max. Dual, 1200 V 5,1 kW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 5,1 kW
Infineon
FF900R12IP4BOSA2
ab CHF 1’798.44*
pro 3 Stück
 
 Packung
ONSEMI DTA143ZET1G TRANSISTOR AEC-Q101 PNP -50V -0.1A SC-75 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: ...
onsemi
DTA143ZET1G
ab CHF 0.0667*
pro 5 Stück
 
 Packung
Infineon IPB024N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 161 A PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 161 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB024N08NF2SATMA1
ab CHF 1.91*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI DTA115EET1G DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 100 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 100 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität:...
onsemi
DTA115EET1G
ab CHF 0.021*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Treibermodul CMOS 6 A 15V 8-Pin PG-DSO-8-51 19ns (1 Angebot) 
Logik-Typ = CMOS Ausgangsstrom = 6 A Versorgungsspannung = 15V Pinanzahl = 8 Abfallzeit = 19ns
Infineon
1EDI60I12AFXUMA1
ab CHF 1.52*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI DTC114TM3T5G DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach NPN B...
onsemi
DTC114TM3T5G
ab CHF 330.24*
pro 8’000 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 950 A ±20V max. 6-fach, 750 V 870 W HybridPACK (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 950 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 870 W Gehäusegröße = HybridPACK
Infineon
FS950R08A6P2BBPSA1
ab CHF 571.16*
pro Stück
 
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