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  Schalttransistor  (9’522 Angebote unter 5’242’036 Artikeln)

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"Schalttransistor"

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onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 375 W TO-247-3L (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247-3L
onsemi
FGHL75T65MQDT
ab CHF 2.81*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 305 W Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65F5FKSA1
ab CHF 3.75*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 469 W TO-247-4LD (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247-4LD
onsemi
FGHL75T65LQDTL4
ab CHF 3.83*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPC50N04S5L-5R5 Transistor 40 V (1 Angebot)
Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1
ab CHF 1’672.85*
pro 5’000 Stück
 
 Packung
Infineon IPB026N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 162 A PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 162 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB026N10NF2SATMA1
ab CHF 2.79*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 375 W TO-247-4LD (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247-4LD
onsemi
FGHL75T65MQDTL4
ab CHF 3.34*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 90 A ±20V max. Triple, 600 V 333 W PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 90 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 333 W Gehäusegröße = PG-TO220-3
Infineon
IGP50N60TXKSA1
ab CHF 149.73*
pro 50 Stück
 
 Packung
ONSEMI FNC42060F2 IPM-MODUL, IGBT, 600V, 20A (2 Angebote) 
Nennstrom (Ic/Id): 20 A Produktpalette: Motion SPM 45 Series Nennspannung (Vces / Vdss): 600 V Bauform - IPM: SPMAA-C26 Isolationsspannung: 2 kV IPM-Baureihe: SPM45 SVHC: Lead (14-Jun-2023) IPM-Lei...
onsemi
FNC42060F2
ab CHF 9.63*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD052N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 118 A PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 118 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO252-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPD052N10NF2SATMA1
ab CHF 1’452.44*
pro 2’000 Stück
 
 Packung
ONSEMI FGY100T120RWD IGBT, 1.43V, 200A, TO-247 (1 Angebot) 
Produktpalette: Field Stop VII Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43 V Kontinuierl...
onsemi
FGY100T120RWD
ab CHF 7.43*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPB040N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 107 A PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 107 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB040N08NF2SATMA1
ab CHF 920.176*
pro 800 Stück
 
 Packung
ONSEMI FSBB10CH120DF IPM-MODUL, IGBT, 1.2KV, 10A (1 Angebot) 
Nennstrom (Ic/Id): 10 A Produktpalette: Motion SPM 3 Series Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2 kV Isolationsspannung: 2.5 kV IPM-Baureihe: SPM3 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) IPM-Leistungsbaustein: IGBT ...
onsemi
FSBB10CH120DF
ab CHF 24.02*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 95 A ±20V max., 650 V 275 W ACEPACK 2 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 95 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 275 W Gehäusegröße = ACEPACK 2
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
ab CHF 58.93*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI FMB3946 TRANSISTOR, NPN/PNP, 40V, 0.2A, SUPERSOT (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Trans...
onsemi
FMB3946
ab CHF 0.0996*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPF014N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 282 A PG-TO263-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 282 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPF014N08NF2SATMA1
ab CHF 1’711.056*
pro 800 Stück
 
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