Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 110 W
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.31 x 9.45 x 4.57mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C

Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C