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| Artikel-Nr.:
3794E-8076660 Herst.-Nr.:
HGT1S10N120BNST EAN/GTIN:
5059042499100 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 298 W
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.67 x 11.33 x 4.83mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Diskrete IGBTs, 1000 V und mehr, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 298 W | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10.67 x 11.33 x 4.83mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor igbt, smd transistor, transistor d2-pak, 8076660, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, HGT1S10N120BNST, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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