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  stmicroelectronics transistor  (551 gefilterte Angebote unter 5’551’114 Artikeln)

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STMICROELECTRONICS STGIK50CH65T IPM, IGBT, 50A, 650V, SDIPHP-30L (2 Angebote) 
Nennstrom (Ic/Id): 50 A Produktpalette: SLLIMM Series Nennspannung (Vces / Vdss): 650 V Bauform - IPM: SDIPHP Isolationsspannung: 2.5 kV IPM-Baureihe: SLLIMM SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) IPM-Leistun...
ST Microelectronics
STGIK50CH65T
ab CHF 32.76*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 60 A 20V max. , 650 V 260 W H2PAK-2 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 260 W Gehäusegröße = H2PAK-2
ST Microelectronics
STGH30H65DFB-2AG
ab CHF 1.80*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 80 A 20V max., 1,65 V 535 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1,65 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 535 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
ST Microelectronics
STGWA80H65DFBAG
ab CHF 4.14*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 100 A 20V max. , 1200 V 535 W Max. 247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 535 W Gehäusegröße = Max. 247
ST Microelectronics
STGYA50M120DF3
ab CHF 5.45*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 60 A 20V max. , 650 V 260 W H2PAK-2 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 260 W Gehäusegröße = H2PAK-2
ST Microelectronics
STGH30H65DFB-2AG
ab CHF 2.39*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 80 A 20V max., 1,65 V 535 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1,65 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 535 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
ST Microelectronics
STGWA80H65DFBAG
ab CHF 4.66*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics RF5L15120CB4 Dual N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 95 V, 5-Pin LBB (1 Angebot) 
Channel-Typ = Dual N Drain-Source-Spannung max. = 95 V Gehäusegröße = LBB Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5
ST Microelectronics
RF5L15120CB4
ab CHF 16’068.70*
pro 100 Stück
 
 Packung
STMicroelectronics IGBT / 4 A ±20V max. , 600 V 75 W, 3-Pin DPAK (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 4 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 75 W Gehäusegröße = DPAK Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3
ST Microelectronics
STGD4H60DF
ab CHF 0.56*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 100 A 20V max. , 1200 V 535 W Max. 247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 535 W Gehäusegröße = Max. 247
ST Microelectronics
STGYA50M120DF3
ab CHF 6.29*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 4 A ±20V max. , 600 V 75 W, 3-Pin DPAK (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 4 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 75 W Gehäusegröße = DPAK Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3
ST Microelectronics
STGD4H60DF
ab CHF 0.47*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics RF5L15120CB4 Dual N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 95 V, 5-Pin LBB (1 Angebot) 
Channel-Typ = Dual N Drain-Source-Spannung max. = 95 V Gehäusegröße = LBB Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5
ST Microelectronics
RF5L15120CB4
ab CHF 161.52*
pro Stück
 
 Stück
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