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  transistor d2-pak  (112 gefilterte Angebote unter 5’247’872 Artikeln)

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Infineon OptiMOS 3 IPB019N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 180 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 180 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0019 O Channel-Modus =...
Infineon
IPB019N08N3GATMA1
ab CHF 3.03*
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Infineon OptiMOS 5 IPB033N10N5LFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 170 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 170 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0033 O Channel-Modus ...
Infineon
IPB033N10N5LFATMA1
ab CHF 3.96*
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 Stück
Infineon OptiMOS 3 IPB031N08N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0031 O Channel-Modus =...
Infineon
IPB031N08N5ATMA1
ab CHF 2.13*
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Infineon
IPB100N08S2L07ATMA1
ab CHF 2’253.55*
pro 1’000 Stück
 
 Packung
Infineon
IPB033N10N5LFATMA1
ab CHF 3.02*
pro Stück
 
 Stück
Infineon OptiMOS IPB70N12S311ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 120 V / 70 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 70 A Drain-Source-Spannung max. = 120 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0113 O Channel-Modus =...
Infineon
IPB70N12S311ATMA1
ab CHF 1.45*
pro Stück
 
 Stück
Infineon OptiMOS 5 IPB083N15N5LFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 150 V / 105 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 105 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0083 O Channel-Modus ...
Infineon
IPB083N15N5LFATMA1
ab CHF 4.18*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IRF60SC241ARMA1
ab CHF 1.75*
pro Stück
 
 Stück
Infineon OptiMOS IPB100N08S2L07ATMA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 75 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 75 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,00065 O Channel-Modus ...
Infineon
IPB100N08S2L07ATMA1
ab CHF 2.92*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IPB70N12S311ATMA1
ab CHF 886.92*
pro 1’000 Stück
 
 Packung
onsemi BUB323ZT4G SMD, NPN Digitaler Transistor 6 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN Kollektor-Emitter-Spannung = 6 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 150 W Transistor-Konfiguration = Einfach Pinanzahl = 2 + Tab Anzahl der ...
onsemi
BUB323ZT4G
ab CHF 1.57*
pro Stück
 
 Stück
STMICROELECTRONICS STGB20H65DFB2 IGBT, 650V, 40A, TO-263/D2PAK (1 Angebot) 
Produktpalette: HB2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 ...
ST Microelectronics
STGB20H65DFB2
ab CHF 0.772*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 238 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 238 W Gehäusegröße = D2PAK Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
onsemi
AFGB40T65SQDN
CHF 3.04*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 167 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Pinanzahl = 3 Die Serie STMicroelectr...
ST Microelectronics
STGB30H65DFB2
ab CHF 1.03*
pro Stück
 
 Stück
onsemi MJB45H11T4G SMD, PNP Digitaler Transistor –80 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 50 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Transistor-Konfiguration = Einfa...
onsemi
MJB45H11T4G
ab CHF 413.352*
pro 800 Stück
 
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