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  transistor d2-pak  (85 gefilterte Angebote unter 5’231’849 Artikeln)

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Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 110 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Infineon
IGB10N60TATMA1
ab CHF 11.12*
pro 20 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
onsemi
ISL9V3040S3ST
ab CHF 9.56*
pro 5 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 46 A Kollektor-Emitter-Spannung = 420 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
onsemi
ISL9V5036S3ST
ab CHF 12.59*
pro 5 Stück
 
 Packung
onsemi MJB42CG SMD, PNP Transistor –100 V / -6 A 1 MHz, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -6 A Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 65 W Gleichstromverstärkung min. = 15 T...
onsemi
MJB42CT4G
ab CHF 5.56*
pro 5 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 298 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 298 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pi...
onsemi
HGT1S10N120BNST
ab CHF 3.01*
pro 2 Stück
 
 Packung
onsemi NJVMJB41CG SMD, NPN Transistor 100 V / 6 A 1 MHz, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 6 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 65 W Transistor-Konfiguration = Einfach K...
onsemi
NJVMJB41CT4G
ab CHF 6.56*
pro 5 Stück
 
 Packung
STMicroelectronics IGBT / 30 A 16V max., 420 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 420 V Gate-Source Spannung max. = 16V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
ST Microelectronics
STGB18N40LZT4
ab CHF 11.85*
pro 5 Stück
 
 Packung
STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 65 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
ST Microelectronics
STGB10NC60HDT4
ab CHF 5.45*
pro 5 Stück
 
 Packung
STMicroelectronics IGBT / 20 A 12V max., 375 V, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 375 V Gate-Source Spannung max. = 12V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigur...
ST Microelectronics
STGB10NB37LZT4
ab CHF 3.45*
pro 2 Stück
 
 Packung
STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 65 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
ST Microelectronics
STGB10NC60KDT4
ab CHF 1.04*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI HGT1S10N120BNST IGBT, EINFACH, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45 V Konti...
onsemi
HGT1S10N120BNST
ab CHF 1.65*
pro Stück
 
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ONSEMI MJB44H11G TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 80V, TO-263-3 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V Betr...
onsemi
MJB44H11G
ab CHF 0.499*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI MJB45H11G TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 80V, TO-252-3 (2 Angebote) 
Produktpalette: MJxxxx MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V...
onsemi
MJB45H11G
ab CHF 0.466*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI FDB3632. MOSFET, FULL REEL, Transistor Polarity:N (2 Angebote) 
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V Dauer-Drainstrom Id: 80 A Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 °C SVHC: Lead Transistormontage: Surface Mount Qualifikation: - Bauform - Transist...
onsemi
FDB3632.
ab CHF 1.49*
pro Stück
 
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Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 110 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Infineon
IGB10N60TATMA1
ab CHF 0.64*
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