Transistor bei Mercateo günstig kaufen (Seite 476/635)

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Infineon IPF042N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 139 A PG-TO263-7 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 139 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD

Infineon

IPF042N10NF2SATMA1

ab CHF 1.54*
pro Stück

ONSEMI MMBT3906LT1H TRANSISTOR, PNP, -40V, -0.2A, 150°C (1 Angebot)

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 V Bet...

onsemi

MMBT3906LT1H

ab CHF 0.231*
pro 5 Stück

Infineon IPD055N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 98 A PG-TO252-3 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 98 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-TO252-3 Montage-Typ = SMD

Infineon

IPD055N08NF2SATMA1

ab CHF 1’297.10*
pro 2’000 Stück

ONSEMI MMJT350T1G TRANSISTOR PNP, 300V, 0.5A, 150°C, 2.75W (1 Angebot)

Produktpalette: MMJT350 Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300 V Betriebstemperatur, max.: ...

onsemi

MMJT350T1G

ab CHF 1.085*
pro 5 Stück

Infineon IPG16N10S4-61 Transistor 100 V (1 Angebot)

Infineon

IPG16N10S461ATMA1

ab CHF 2’071.20*
pro 5’000 Stück

Infineon IPD130N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 52 A PG-TO252-3 (2 Angebote)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO252-3 Montage-Typ = SMD

Infineon

IPD130N10NF2SATMA1

ab CHF 0.384*
pro Stück

ONSEMI NCD57001FDWR2G IGBT-TREIBER, -40 BIS 125°C (2 Angebote)

Quellstrom: 7.8 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET Produktpalette: - Eingang: Invertierend, nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 5.5 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 1...

onsemi

NCD57001FDWR2G

ab CHF 2.04*
pro Stück

Infineon IPAN60R180P7SXKSA1, THT MOSFET Transistor / 18 A, 3-Pin PG-TO220 (1 Angebot)

Dauer-Drainstrom max. = 18 A Gehäusegröße = PG-TO220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Infineon

IPAN60R180P7SXKSA1

ab CHF 1.07*
pro Stück

Infineon IPG20N06S4L14AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor 60 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 2

Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1

ab CHF 0.86*
pro Stück

onsemi IGBT-Treibermodul 6,5 A 22V 8-Pin SOIC 13ns (2 Angebote)

Ausgangsstrom = 6,5 A Versorgungsspannung = 22V Pinanzahl = 8 Abfallzeit = 13ns Der on Semiconductor NCD57080B ist ein Hochstrom-IGBT-Einkanal-Gate-Treiber mit 3,75 kVeff interner galvanischer Tren...

onsemi

NCD57080BDR2G

ab CHF 1.82*
pro Stück

Infineon IPD80R280P7 Transistor 600 V (2 Angebote)

Infineon

IPD80R280P7ATMA1

ab CHF 1.30*
pro Stück

onsemi MJD44H11-1G SMD, NPN Transistor 80 V dc / 8 A 1 MHz, DPAK (TO-252) 3 + Tab-Pin (2 Angebote)

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V dc Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 20 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Tr...

onsemi

MJD44H11-1G

ab CHF 0.23*
pro Stück

Infineon IPB016N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 52 A PG-TO252-3 (2 Angebote)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO252-3 Montage-Typ = SMD

Infineon

IPB016N08NF2SATMA1

ab CHF 1.67*
pro Stück

onsemi IGBT-Treibermodul 6,5 A 22V 8-Pin SOIC 13ns (2 Angebote)

Ausgangsstrom = 6,5 A Versorgungsspannung = 22V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = SOIC Der on Semiconductor NCD57090 ist ein Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennun...

onsemi

NCD57090BDWR2G

ab CHF 1.28*
pro Stück

Infineon IPP034NE7N3 G Transistor 75 V (2 Angebote)

Infineon

IPP034NE7N3GXKSA1

ab CHF 1.49*
pro Stück

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