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| Artikel-Nr.:
3794E-1031567 Herst.-Nr.:
STB80NF55L-06T4 EAN/GTIN:
5059042010695 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = STripFET II
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | STripFET II |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, stm mosfet, smd transistor, mosfet 80a, 1031567, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB80NF55L06T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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