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| Artikel-Nr.:
3794E-1461982 Herst.-Nr.:
FDB035AN06A0 EAN/GTIN:
5059042693232 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 310 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 11.33mm
Höhe = 4.83mm
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 310 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 11.33mm | Höhe: | 4.83mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, mosfet 80a, 1461982, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDB035AN06A0, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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