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| Artikel-Nr.:
3794E-1655613 Herst.-Nr.:
IGB10N60TATMA1 EAN/GTIN:
5059043328614 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 110 W
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.31 x 9.45 x 4.57mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 10 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 110 W | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10.31 x 9.45 x 4.57mm | Betriebstemperatur min.: | –40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, transistor d2-pak, 1655613, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGB10N60TATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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