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| Artikel-Nr.:
3794E-1858642 Herst.-Nr.:
AFGB40T65SQDN EAN/GTIN:
5059045233565 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 238 W
Gehäusegröße = D2PAK
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.67 x 9.65 x 4.58mm
Gate-Kapazität = 2495pF Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 238 W | Gehäusegröße: | D2PAK | Montage-Typ: | SMD | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10.67 x 9.65 x 4.58mm | Gate-Kapazität: | 2495pF |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor igbt, smd transistor, transistor d2-pak, 1858642, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, AFGB40T65SQDN, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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