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| Artikel-Nr.:
3794E-1867897 Herst.-Nr.:
FQB5N90TM EAN/GTIN:
5059045732853 |
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| Gehäusegröße = D2PAK
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 158 W
Pinanzahl = 2 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Dieser N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET wird mit einer proprietären planaren Streifen- und DMOS-Technologie hergestellt. Diese Advanced MOSFET-Technologie wurde speziell auf die Reduzierung des Einschaltwiderstandes und die Bereitstellung einer überlegenen Schaltleistung und einer hohen Lawinenenergie zugeschnitten. Diese Geräte eignen sich für Schaltnetzteile, aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und elektronische Vorschaltgeräte.5,4A, 900V, RDS(on) = 2,3Ω (Max.) @VGS = 10 V, ID = 2,7A Niedrige Gatterladung ( Typ. 31 nC) Niedrige Crss (Typ. 13 pF) Anwendungen Beleuchtung Weitere Informationen: | | Gehäusegröße: | D2PAK | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 158 W | Pinanzahl: | 2 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor d2-pak, 1867897, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, FQB5N90TM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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