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ONSEMI NVB190N65S3F MOSFET, N-KANAL, 650V, 20A, TO-263


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-3265483
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NVB190N65S3F
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158 ohm
  • Produktpalette: SUPERFET III
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 20 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 162 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVB190N65S3F, 3265483, 326-5483
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