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Vishay SIHB24N65E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A TO-263

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
3794E-2567412

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIHB24N65E-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263
Montage-Typ = SMD

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	24 A
Drain-Source-Spannung max.:	650 V
Gehäusegröße:	TO-263
Montage-Typ:	SMD

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, smd transistor, mosfet to-263, 2567412, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHB24N65EGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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