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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2283632

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIHB24N65E-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 ohm

Produktpalette: E

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 24 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)

Drain-Source-Spannung Vds: 650 V

Verlustleistung: 250 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V

SVHC: Lead (19-Jan-2021)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, smd transistor, mosfet to-263, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHB24N65E-GE3, 2283632, 228-3632

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