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| Artikel-Nr.:
3794E-7103317 Herst.-Nr.:
SI4116DY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040975101 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12.7 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 2500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 17,5 nC bei 4,5 V, 37 nC bei 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 12.7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 25 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 2500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 17,5 nC bei 4,5 V, 37 nC bei 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, smd transistor, 7103317, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4116DYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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