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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-1794777

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI4116DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 18 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SOIC

Drain-Source-Spannung Vds: 25 V

Verlustleistung: 5 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600 mV

SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI4116DY-T1-GE3, 1794777, 179-4777

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