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| Artikel-Nr.:
3794E-8062542 Herst.-Nr.:
MBT3904DW1T3G EAN/GTIN:
5059042656312 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 200 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V
Gehäusegröße = SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 150 mW
Gleichstromverstärkung min. = 100
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = 60 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Universal-NPN-Transistoren, bis zu 1 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 200 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 40 V | Gehäusegröße: | SOT-363 (SC-88) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 150 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 100 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 60 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor Array, smd-transistor npn, smd transistor, transistor array on semiconductor, 8062542, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MBT3904DW1T3G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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