| |
|
| Artikel-Nr.: 8737N-2814892 Herst.-Nr.: MBT3904DW1T3G EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| | |
| Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - Wandlerpolarität: Dual NPN Übergangsfrequenz, PNP: - Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Surface Mount Übergangsfrequenz, NPN: 300 MHzQualifikation: - Verlustleistung, NPN: 150 mWKontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Bauform - Transistor: SOT-363 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100 hFEMSL: MSL 1 - Unlimited Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200 mAKollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40 VProduktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) Verlustleistung, PNP: - Betriebstemperatur, max.: 150 °CRoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Transistor Array, smd-transistor npn, smd transistor, transistor array on semiconductor, (BJT), Bipolare, Dioden, Gleichrichter, Schichttransistor-Arrays, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, MBT3904DW1T3G, 2814892, 281-4892 |
| | |
| |