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| Artikel-Nr.: 3794E-8187470 Herst.-Nr.: SUD50N04-8M8P-4GE3 EAN/GTIN: 5059040746923 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 10,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V Verlustleistung max. = 48,1 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 48,1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet dpak, 8187470, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SUD50N048M8P4GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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