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VISHAY SUD50N04-8M8P-4GE3 MOSFET, N-KANAL, 40V, 50A, TO252


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-1794799
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUD50N04-8M8P-4GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 50 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 48.1 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 V
  • SVHC: Lead (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet dpak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SUD50N04-8M8P-4GE3, 1794799, 179-4799
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