VISHAY SISA18ADN-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 30V, 38.3A, PPAK1212-8

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-2364101

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SISA18ADN-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 38.3 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: PowerPAK 1212

Drain-Source-Spannung Vds: 30 V

Verlustleistung: 19.8 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 V

SVHC: Lead (10-Jun-2022)

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SISA18ADN-T1-GE3, 2364101, 236-4101

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