VISHAY SIS472BDN-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 30V, 38.3A, 150°C

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-2932954

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIS472BDN-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 ohm

Produktpalette: TrenchFET Gen IV

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 38.3 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: PowerPAK 1212

Drain-Source-Spannung Vds: 30 V

Verlustleistung: 19.8 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 V

SVHC: Lead (10-Jun-2022)

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIS472BDN-T1-GE3, 2932954, 293-2954

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