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ONSEMI HGT1S10N120BNST IGBT, EINFACH, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2454176
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     HGT1S10N120BNST
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263AB
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 298 W
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: on semiconductor igbt, smd transistor, transistor d2-pak, Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, HGT1S10N120BNST, 2454176, 245-4176
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