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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2729844
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIRA90DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650 µohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 100 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SO
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 104 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, smd transistor, mosfet 100a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIRA90DP-T1-RE3, 2729844, 272-9844
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