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VISHAY SIR150DP-T1-RE3 MOSFET, N-KANAL, 45V, 110A, 150°C, 65.7W

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-3263510

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIR150DP-T1-RE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225 ohm

Produktpalette: TrenchFET Gen IV

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 110 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: PowerPAK SO

Drain-Source-Spannung Vds: 45 V

Verlustleistung: 65.7 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3 V

SVHC: Lead (19-Jan-2021)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 110a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIR150DP-T1-RE3, 3263510, 326-3510

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