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"MOSFET"

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VISHAY SIHA6N80AE-GE3 MOSFET, N-KANAL, 800V, 5A, 150°C, 30W (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826 ohm Produktpalette: E MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Da...
Vishay
SIHA6N80AE-GE3
ab CHF 0.58*
pro Stück
 
 Stück
Vishay E SIHG15N80AE-GE3 N-Kanal MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin TO-247AC (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-247AC Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,304 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 2 → 4V Anz...
Vishay
SIHG15N80AE-GE3
ab CHF 1.23*
pro Stück
 
 Stück
Vishay E-Series SIHB053N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 47 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 47 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,054 Ω Gate-Schwellensp...
Vishay
SIHB053N60E-GE3
ab CHF 2.62*
pro Stück
 
 Stück
Vishay E SIHG17N80AE-GE3 N-Kanal MOSFET 800 V / 15 A, 3-Pin TO-247AC (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-247AC Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,25 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 2 → 4V Anza...
Vishay
SIHG17N80AE-GE3
ab CHF 1.29*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SiHB105N60EF SIHB105N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,102 Ω Channel-Modus = ...
Vishay
SIHB105N60EF-GE3
ab CHF 1.70*
pro Stück
 
 Stück
VISHAY SIHG21N65EF-GE3 MOSFET, N-KANAL, 650V, 21A, TO-247AC (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 ohm Produktpalette: E Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id:...
Vishay
SIHG21N65EF-GE3
ab CHF 2.43*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSC160N15NS5 Transistor 150 V (1 Angebot)
Infineon
BSC160N15NS5ATMA1
ab CHF 5’286.75*
pro 5’000 Stück
 
 Packung
VISHAY SIHB15N65E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 650V, 15A, TO-263 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23 ohm Produktpalette: E Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id...
Vishay
SIHB15N65E-GE3
ab CHF 1.58*
pro Stück
 
 Stück
Vishay E SIHB17N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 15 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,25 Ω Gate-Schwellenspa...
Vishay
SIHB17N80AE-GE3
ab CHF 1.14*
pro Stück
 
 Stück
VISHAY SIHG44N65EF-GE3 MOSFET, N-KANAL, 650V, 46A, TO-247AC (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063 ohm Produktpalette: E Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id...
Vishay
SIHG44N65EF-GE3
ab CHF 5.31*
pro Stück
 
 Stück
VISHAY SIHB21N65EF-GE3 MOSFET, N-KANAL, 650V, 21A, TO-263 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 ohm Produktpalette: E Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id...
Vishay
SIHB21N65EF-GE3
ab CHF 2.18*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSZ070N08LS5 Transistor 80 V (1 Angebot)
Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1
ab CHF 3’023.00*
pro 5’000 Stück
 
 Packung
VISHAY SIHH155N60EF-T1GE3 MOSFET, N-KANAL, 600V, 18A, POWERPAK (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136 ohm Produktpalette: EF Series Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom ...
Vishay
SIHH155N60EF-T1GE3
ab CHF 2.29*
pro Stück
 
 Stück
Vishay E-Series SIHB5N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,4 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1.3 Ω Gate-Schwellenspa...
Vishay
SIHB5N80AE-GE3
ab CHF 0.568*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHB6N80AE-GE3 N-Kanal Quad, SMD MOSFET 850 V / 5 A, 3-Pin TO-263 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 850 V Gehäusegröße = TO-263 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 4
Vishay
SIHB6N80AE-GE3
ab CHF 0.839*
pro Stück
 
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