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  Transistor  (9’523 Angebote unter 5’242’165 Artikeln)

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"Transistor"

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Infineon IGBT-Modul / 50 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = EASY2B Channel-Typ = N
Infineon
FP50R12KT4PBPSA1
ab CHF 1’046.21*
pro 10 Stück
 
 Packung
NXP BFU550WX HF-TRANSISTOR, AUTO, NPN, 12V, SOT323 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 V Betr...
NXP
BFU550WX
ab CHF 0.271*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 900 A ±20V max. Dual, 1200 V 5,1 kW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 5,1 kW
Infineon
FF900R12IP4BOSA2
ab CHF 644.74*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI 2SA1418S-TD-E TRANSISTOR, PNP, -160V, -0.7A, SOT-89 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 V Be...
onsemi
2SA1418S-TD-E
ab CHF 0.212*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 760 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V, 33-Pin AG-HYBRIDD-1 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 760 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = AG-HYBRIDD-1 Channel-Typ = N Pinanzahl = 33
Infineon
FS380R12A6T4BBPSA1
ab CHF 546.61*
pro Stück
 
 Stück
NXP BFU768F,115 HF-TRANSISTOR, NPN, 2.8V, 110GHZ (1 Angebot) 
Produktpalette: BFU768F MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2....
NXP
BFU768F,115
ab CHF 0.58*
pro 5 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 600 A +/-20V max., 1200 V 3 kW Modul (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 3 kW Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
FZ600R12KE4HOSA1
ab CHF 157.58*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 900 A ±20V max., 1200 V 510 kW, 10-Pin PrimePACK2 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 510 kW Konfiguration = Serie Montage-Typ = Schraubmontage Channel-Typ =...
Infineon
FF900R12IE4BOSA1
ab CHF 1’256.46*
pro 3 Stück
 
 Packung
NXP FRDMGD3100HBIEVM EVAL.BOARD HALBBRÜCKE, IGBT-GATE-TREIBER (1 Angebot) 
Produktpalette: - Prozessorhersteller: NXP Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard GD3100, Logik-Wandlerplatine KITGD3100TREVB mit FRDM-KL25Z, 0.91m lange USB-...
NXP
FRDMGD3100HBIEVM
ab CHF 323.21*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul 5.7V max., 2 V 833 W, 3-Pin PG-TO247-3 N-Kanal (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 2 V Gate-Source Spannung max. = 5.7V Verlustleistung max. = 833 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach
Infineon
AIKQ120N60CTXKSA1
ab CHF 284.7102*
pro 30 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 825 A Dual, 3300 V 2400 kW AG-IHVB130 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 825 A Kollektor-Emitter-Spannung = 3300 V Verlustleistung max. = 2400 kW Konfiguration = Single
Infineon
FZ825R33HE4DBPSA1
ab CHF 1’033.02*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI 2SA1552S-TL-E TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, -160V, TO-252-3 (1 Angebot) 
Verlustleistung: 15 W Qualifikation: - SVHC: Lead (14-Jun-2023) Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Überg...
onsemi
2SA1552S-TL-E
ab CHF 1.485*
pro 5 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 11-Pin ECONODUAL N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Dual Channel-Typ = N Pinanzahl = 11 Transistor-Konfi...
Infineon
FF600R12ME4B72BOSA1
ab CHF 213.17*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI 2SA2125-TD-E TRANSISTOR, PNP, -50V, -3A, SOT-89 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 380 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 V Bet...
onsemi
2SA2125-TD-E
ab CHF 0.68*
pro 5 Stück
 
 Packung
ONSEMI 2SA2016-TD-E BIPOLARTRANSISTOR, PNP, -50V, SOT-89-3 (1 Angebot) 
Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: SOT-89 Dauer-Kollektorstrom: 7 A DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 hFE Verlustleistung: 3.5 W Qualifikation: - SVHC: Lead (14-Jun-2023) Pro...
onsemi
2SA2016-TD-E
ab CHF 0.326*
pro Stück
 
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